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3d xpoint 文章 进入3d xpoint技术社区

5G加速 联电首推RFSOI 3D IC解决方案

  • 联电昨(2)日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案,此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术,在不损耗射频(RF)效能下,可将芯片尺寸缩小逾45%,联电表示,此技术将应用于手机、物联网和AR/VR,为加速5G世代铺路,且该制程已获得多项国际专利,准备投入量产。 联电表示,RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长,联电的RFSOI 3D IC解决方案,利用晶圆对晶圆的键合技术,并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题,将装置中
  • 关键字: 5G  联电  RFSOI  3D IC  

联电:3D IC解决方案已获得客户采用,预计今年量产

  • 近日,晶圆代工大厂联电举行法说会,公布2024年第一季财报,合并营收546.3亿元新台币,较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%,较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%,归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示,由于电脑领域需求回升,第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%,成本控管及营运效率提升,仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下,特殊制程占总营收
  • 关键字: 联电  3D IC  

如何减少光学器件的数据延迟

  • 光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
  • 关键字: 3D-IC  

Zivid最新SDK 2.12:捕获透明物体,最先进的点云

  • Zivid最新SDK2.12正式发布,是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中,我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离,速度更快,点云质量更好,特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时,我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
  • 关键字: Zivid  3D  机器人  

3D DRAM进入量产倒计时

  • 在 AI 服务器中,内存带宽问题越来越凸出,已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下,HBM 内存很火,它相对于传统 DRAM,数据传输速度有了明显提升,但是,随着 AI 应用需求的发展,HBM 的带宽也有限制,而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题,但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下,3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
  • 关键字: 3D DRAM  

3D NAND,1000层竞争加速!

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: 3D NAND  集邦咨询  

千亿美元蛋糕!3D DRAM分食之战悄然开局

  • 从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
  • 关键字: 3D DRAM  存储  

为什么仍然没有商用3D-IC?

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端,但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字: 3D-IC  HBM  封装  

300层之后,3D NAND的技术路线图

  • 开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
  • 关键字: 3D NAND  

TDK发布适用于汽车和工业应用场景的全新ASIL C级杂散场稳健型3D HAL传感器

  • ●   HAL 3930-4100(单芯片)和 HAR 3930-4100(双芯片)是两款精确的霍尔效应位置传感器,具备稳健的杂散场补偿能力,并配备 PWM 或 SENT 输出接口●   单芯片传感器已定义为 ASIL C 级,可以集成到汽车安全相关系统中,最高可达 ASIL D 级●   目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
  • 关键字: TDK  ASIL C  3D HAL传感器  

TDK推出采用3D HAL技术并具备模拟输出和SENT接口的位置传感器

  • ●   全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。●   卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平,以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布,其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员,现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
  • 关键字: TDK  3D HAL  位置传感器  

3D ToF相机于物流仓储自动化的应用优势

  • 3D ToF智能相机能藉助飞时测距(Time of Flight;ToF)技术,在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料,确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅,加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发,隔离政策改变人们的消费模式与型态,导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长;于此同时,人员移动的管制,也间接造成人力不足产生缺工问题,加速物流仓储行业自动化的进程,进而大量导入无人搬运车AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
  • 关键字: 3D ToF  相机  物流仓储  自动化  台达  

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
  • 关键字: V-NAND  闪存  3D NAND  

3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

  • 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)l  这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l  DRAM技
  • 关键字: 3D DRAM  泛林  
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